Фотодиоды
Название:Q65110A1209
Производитель:OSRAM Opto Semiconductors
Описание:Фотодиоды
Характеристики:
Максимальная рабочая температура:+ 100 C
Минимальная рабочая температура:- 40 C
Корпус:DIL-SMT-2
Тип установки:SMD/SMT
Рассеяние мощности:150 mW
Продукт:PIN Photodiodes
Чувствительность:0.62 A/W
Обратное напряжение:32 V
Время рецессии:20 ns
Время нарастания:20 ns
Пиковая длина волны:850 nm
Угол полуинтенсивности:60 deg
Темный ток:2 nA
Эквивалентная мощность шума (NEP):4.1E-14 W/sqrt Hz
фототок:80 uA
Максимальный темный ток:30 nA
