Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности
Название:IXFN520N075T2
Производитель:Ixys
RoHS:да
Описание:Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Характеристики:
Максимальная рабочая температура:+ 175 C
Минимальная рабочая температура:- 55 C
Корпус:SOT-227B
Упаковка:Tube
Ток питания:200 A
Максимальная рассеиваемая мощность:940 W
Тип установки:SMD/SMT
A тип:TrenchT2 GigaMOS HiperFet
Выходное напряжение:75 V
Продукт:MOSFET Gate Drivers
Количество выходов:1
Выходной ток:480 A
Время рецессии:35 ns
Время нарастания:36 ns
Максимальное время выключения:80 ns
Максимальное время задержки:48 ns
Количество драйверов:Single
