Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности
Название:NCP5106ADR2G
Производитель:ON Semiconductor
RoHS:да
Описание:Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR
Характеристики:
Максимальная рабочая температура:+ 150 C
Минимальная рабочая температура:- 55 C
Корпус:SOIC-8
Упаковка:Reel
Размер фабричной упаковки:2500
Ток питания:5 mA
Максимальная рассеиваемая мощность:178 W
Тип установки:SMD/SMT
Минимальная напряжение питания:- 0.3 V
A тип:High Side/Low Side
Продукт:MOSFET Gate Drivers
Количество выходов:2
Время рецессии:75 ns
Время нарастания:160 ns
Конфигурация:Non-Inverting
Количество драйверов:2
