Фототранзисторы
Название:BPW77NB
Производитель:Vishay
RoHS:да
Описание:Фототранзисторы NPN Phototransistor 850nm +/-10 Deg
Характеристики:
Максимальная рабочая температура:+ 125 C
Минимальная рабочая температура:- 40 C
Корпус:TO-18
Упаковка:Bulk
Размер фабричной упаковки:1000
Максимальная рассеиваемая мощность:250 mW
A тип:Chip
Продукт:Phototransistors
Длина волны:850 nm
Напряжение эмиттера коллектора (VCEO) max:70 V
Максимальный темный ток:100 nA
Напряжение пробоя эмиттера коллектора:70 V
Напряжение насыщения излучателя коллектора:0.15 V
