Фототранзисторы
Название:PT501
Производитель:Sharp Microelectronics
RoHS:да
Описание:Фототранзисторы PT +- 6 DEG 800nm 2.5-80mA
Характеристики:
Максимальная рабочая температура:+ 125 C
Минимальная рабочая температура:- 25 C
Корпус:TO-18
Размер фабричной упаковки:500
Максимальная рассеиваемая мощность:75 mW
A тип:Phototransistor
Напряжение эмиттера коллектора (VCEO) max:45 V
Время рецессии:10 us
Время нарастания:10 us
Максимальный темный ток:100 nA
