Фототранзисторы
Название:QSD123_Q
Производитель:Fairchild Semiconductor
Описание:Фототранзисторы 4mA PHOTO TRANS
Характеристики:
Максимальная рабочая температура:+ 100 C
Минимальная рабочая температура:- 40 C
Корпус:T-1 3/4
Упаковка:Bulk
Максимальная рассеиваемая мощность:100 mW
A тип:IR Chip
Напряжение эмиттера коллектора (VCEO) max:30 V
Время рецессии:7 us
Время нарастания:7 us
Максимальный темный ток:100 nA
