Фототранзисторы
Название:QSE113E3R0
Производитель:Fairchild Semiconductor
RoHS:да
Описание:Фототранзисторы 0.25mA, 5V Phototransistor
Характеристики:
Максимальная рабочая температура:+ 100 C
Минимальная рабочая температура:- 40 C
Корпус:Side Looker
Упаковка:Reel
Размер фабричной упаковки:2000
Максимальная рассеиваемая мощность:100 mW
A тип:IR Chip
Напряжение эмиттера коллектора (VCEO) max:30 V
Время рецессии:8 us
Время нарастания:8 us
Максимальный темный ток:100 nA
