Фототранзисторы
Название:QSE113_Q
Производитель:Fairchild Semiconductor
Описание:Фототранзисторы 0.25mA PHOTO TRANS
Характеристики:
Максимальная рабочая температура:+ 100 C
Минимальная рабочая температура:- 40 C
Корпус:Thin Side Looker
Упаковка:Bulk
Максимальная рассеиваемая мощность:100 mW
A тип:IR Chip
Напряжение эмиттера коллектора (VCEO) max:30 V
Время рецессии:8 us
Время нарастания:8 us
Максимальный темный ток:100 nA
